在Flash Memory技術中，顆粒將分為3種：
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴（約MLC 3倍以上的價格），約10萬次讀寫壽命
MLC =Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次讀寫壽命。此為43奈米製程
TLC = Triple-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價格便宜，約500次讀寫壽命，技術還在逐漸成長中。此為32/35奈米製程(因35奈米製程無法使用在MicroSD中，故目前已逐漸轉為32奈米製程)
Flash Memory的工作原理：
Flash Memory的物理結構稱為cell(位元)，為何記憶體可提供讀、寫及抹除的效果
因為在Flash Memory中有一般Mos的Gate(閘極)和Gate Oxide(氧化層之絕緣)
而在其中的Control Gate(控制閘)和其他的Gate中卻多了一層物質，稱為Floating Gate(浮閘)
因有這層浮閘，Flash Memory才可以完成讀、寫及抹除的效果
就算Flash Memory在沒有過電的狀態下，也可以透過這層浮閘，來保存資料的完整性
而Flash Memory能夠重複讀寫的原因，是因浮閘中被注入或移除負電子的原理
當浮閘被注入負電子時，在位元中1就會變成0(電子的產品只有0與1兩個數字來分別)，此時就為寫入
相對的，當負電子被從浮閘移除後，位元也就從0變回1了，此過程就稱為抹除
Flash Memory是用Gate端儲存的電壓來儲存資料
每個Cell理所儲存的bit愈多，代表Gate電壓必須可以區分的更細
Gate儲存的電子可能跑掉，電壓逐漸下降， 就可能讓資料錯誤，所以可靠度(寫入次數/保存期限) SLC > MLC > TLC
速度上也以SLC的速度比較快，只是相同容量來比，SLC比較貴
目前的記憶卡，已經逐漸轉為Class 2&4製程(每秒最低速度2MB/sec & 4MB/sec)
因廠商已逐漸轉往TLC發展，且TLC上不了Class 6的速度，且Class 6的IC顆粒價格偏高，更因TLC效能不佳，而無法進入高階市場
TLC與MLC相比，雖然TLC有成本上的優勢，但卻更需要更準確及複雜的控制晶片來確保資料的完整性及保存性
目前所有大廠(包括-三星SamSung/東芝Toshiba/海力士Hynix)都已逐漸轉往TLC發展，所以只能說TLC是未來的趨勢
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